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GaN导入充电桩小功率先行

来源:极速体育吧    发布时间:2024-02-29 19:38:10

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  充电桩市场随高压直流快充的推广,在一些400kW以上的充电桩中已经采用了SiC功率器件。同为第三代半导体的GaN,由于在高频应用上的优势,一些厂商也在推动GaN进入到充电桩中。目前GaN的主要应用于消费电子充电器等小功率电源产品,部分工业级应用包括光伏微型逆变器、服务器电源等,这些功率一般在几kW,不会太高。而电动汽车市场的爆发,让GaN企业在寻求进入到汽车市场,以扩大GaN的应用市场和增长空间。在汽车前装市场上,GaN作为一种在汽车行业中没有大规模应用先例的器件,且GaN本身在工业应用中也只是刚刚起步,因此想要进入到汽车供应链并不简单,特别是涉及驾驶安全的牵引逆变器等应用中。所以我们大家可以看到在汽车应用上,GaN目前最多是应用在座舱内的手机无线/有线快充模块上。而OBC等稍大功率,不涉及驾驶安全的设备,目前有很多厂商推出了GaN器件的参考设计,正式落地量产还需要一段时间。另一方面,电动汽车市场的发展,也带动了充电桩市场的需求。充电桩的种类多样,从功率分就可以从7kW到500kW以上,而在充电桩发展的过程中,怎么样提高功率密度一直是一个重要议题。提高功率密度,就需要提高功率开关管的开关频率,GaN器件本身的优势就在于开关频率上,因此如果应用在充电模块中,就能够在实现高频开关的同时,在高压设计中保持更高效率。另一方面,GaN的开关损耗低,带来的另一个好处是提高充电桩的转换效率,对于私人或是公共充电桩而言,都可以某些特定的程度上降低使用成本。同时相比于汽车前装应用,充电桩对器件的要求相比来说较低,GaN器件导入充电桩产业链的难度也更低。因此对于GaN产业链而言,充电桩是一个很好的增量市场。于是从2022年开始,陆续有GaN企业和充电桩企业合作开发GaN充电桩产品。2022年4月,美国Indie Power Systems宣布计划募资200万美元改造电动汽车充电站,将采用GaN技术,可降低100Khz的开关损耗及整体制造和充电成本,同时确保比当前市场产品有更高的效率。2022年5月, 宏光半导体宣布与中国泰坦能源技术集团有限公司订立合作框架协议,开展为期三年的战略合作,合作内容为氮化镓快充桩的技术推广及产品营销售卖。2023年4月,国内最大的充电桩运营商特来电宣布携手德州仪器在直流充电设备、交流充电设备和功率分配单元(PDU)等领域进行了密切合作。德州仪器提供了基于GaN FET以及专对于SiC FET的智能驱动解决方案,以帮助实现更高的充电桩功率密度。2023年8月,倍思发布了星云系列交流充电桩,首次将GaN氮化镓技术引入家用充电桩,提供更低待机功效、更少热损耗的环保家充方案。该充电桩支持7kW充电功率,内置4G,支持APP远程控制。而今年一月,英飞凌和欧姆龙合作在日本推出了全日本最小、最轻的V2X GaN充电桩,充电功率最高为6kW。与类似的传统充放电系统相比,其尺寸和重量减少了60%;基于英飞凌的CoolGaN技术,V2X系统的电源效率在轻负载时提高了10%以上,在额定负载时提高了约4%。

  现代宽禁带功率器件(SiC, GaN)上的开关晶体管速度慢慢的变快,使得测量和表征成为相当大的挑战,在某些情况下几乎不可能实现。隔离探测技术的出现改变了这种局面,通过这一技术,设计人员终于能够放心地测量以前回避的半桥和门驱动器波形。通过仔细地了解相关挑战,并使用适当的探测技术,电源工程师能更加迅速、高效地表征和优化其设计。 半桥电路(图1)大范围的使用在功率电子领域的多种应用,是现代设计中有效转换电能使用的基本电路。但是,只有在半桥、门驱动器和布线正确且优化设计时,这种电路的优势才能得到实现。在测量结果与预期结果不一致时,可能很难提取与被测器件有关的有意义的细节。更糟糕的是,基于探头位置和其他因素,波形可能会明显变化,最终会让设计人员

  随着新能源战略的部署和实施,电动汽车必将走进千家万户。与之配套的电动汽车充换电设施已率先开始建设,将逐步形成充电桩、充电站、换电站、配送站等设施相结合的电动汽车充换电系统。电动汽车充换电系统是一个庞大的 电力 网络资源,其通信系统的特点是被测点多且分散、覆盖面广、通信距离短。随着城市充换电设施的持续建设,其网络拓扑要求具有灵活性和扩展性的结构。 CANScope分析仪广州致远电子股份有限公司研发的一款综合性的CAN总线开发与测试的专业工具,集海量存储 示波器 、网络分析仪、误码率分析仪、协议分析仪及可靠性测试工具于一身,并把各种仪器有机的整合和关联;重新定义CAN总线的开发测试方法,可对CAN网络通信正确性、可靠性、合理性进行多

  与电动汽车之间的通讯解析 /

  受惠于5G即将迈入商转及车用电子、物联网大势所趋,第三代半导体材料氮化镓(GaN)与碳化硅(SiC)进入快速成长期,国际IDM大厂高端产品相继跨入第三代半导体材料制程,台积电、世界先进GaN制程投片量大增,今、明两年进入收割期。 台积电与世界先进着手研发GaN制程技术多年,技术成熟进入量产,目前台积电6英寸产能开出GaN制程提供德商戴乐格(Dialog)产出电源转接芯片;而世界先进则与设备材料厂Kyma、转投资GaN硅基板厂QROMIS携手合作,在去年陆续为电源管理IC客户开出8英寸产能。 Dialog指出,以GaN生产电源转换控制器具备高效率、体积小、更高功率优异特性,带来全世界最快速的电晶体。集邦科技旗下拓墣产业研究指

  5月29日消息,据外国媒体报道称,特斯拉首席执行官埃隆马斯克近期透露,拟在2019年之前在全球建造1万个超级充电桩。目前全球超级充电桩的数量为9623个,这些超级充电桩可在半小时内为车辆充上近80%左右的电量。 (中国区分布,灰色为待建设的充电桩) 周日时马斯克在推特上发布了一份全球超级充电桩分布图,显示了这些超级充电桩所在的确切位置,以及何时建造的细节,分布最多的地区分别为欧洲、北美和中国。 特斯拉表示,当车辆只有少数电量行驶时,车辆会自动发出警报,并且沿着热门路线去到充电桩分布最广的区域。目前特斯拉Model S和Model X的车主每年可获得400千瓦时的免费充电额度,足以驱动大约1610公里。

  中国,北京—Analog Devices, Inc. (ADI), 今日宣布推出两款高性能氮化镓(GaN)功率放大器(PA)模块,二者皆拥有同种类型的产品最高的功率密度,可最大限度地缩减子系统的尺寸和重量。HMC7885和HMC7748宽带模块针对2 GHz至6 GHz频率范围的应用,包括测试和测量、通信、替代行波管(TWT)、航空监控、雷达等应用领域。这些完全集成的全固态器件扩展了ADI公司现有的GaN功率放大器系列,使用起来更便捷,可以加快原型开发和系统模块设计。 查看产品页面并下载数据手册;申请样片和订购评估板: 和

  上回我们说到直流充电桩的正常充电流程,那么问题来了,直流充电桩充电时又有哪些不正常的情况呢?我们不妨来了解一下,方便日后给充电桩系统“把脉”。 首先,我们来简单回顾一下上周的精华内容,即直流充电模型:   图1直流充电模型 左边是非车载充电机(即直流充电桩),右边是电动汽车,二者通过车辆插头、插座相连。我们大家可以很清楚的看到,充电模型主要由“非车载充电机”、“车辆接口”、“电动汽车”这三部分构成,所以充电异常中止基本也由这三部分引发,那么接下来我们将对这三部分进行“体检”分析。 第一类病症:非车载充电机部分引起的充电异常中止情况。   图2非车载充电机异常 1)在充电过程中,如果非车载充电机出现不能继续充电的故障(如充电桩意外进水或

  加拿大的 GaN Systems 已从包括 BMW 和 Vitesco 在内的现有和新进投资者那里筹集了 1.5 亿美元融资。首席执行官 Jim Witham 日前谈论他的计划。 “氮化镓 (GaN) 确实达到了一个临界点。”GaN Systems 的首席执行官 Jim Witham 告诉 eeNews Europe,“电气化真正推动了电力电子设备的发展,随着物联网、传感器无处不在,这一切都需要电力。市场潜在增长是巨大的,而现在是真正的加速期了。” “主要投资者是富达,他们管理着 4 万亿美元的资产,因此这是一个很重要的声明,即机构投资的人正在看到电源市场的这种巨大变化,他们正试图弄清楚如何将资金投入到其中。”他表示。

  近日,专注于GaN功率器件设计和开发的半导体公司Cambridge GaN Devices(CGD)正在利用其独特的ICeGaN技术,针对更高功率的工业应用问题提出解决方案。 CGD的首席商务官Andrea Bricconi表示:“我们敏锐地意识到工业应用一直增长的电力需求和对高效率的渴求。例如,随着人工智能的广泛应用,数据中心所需的电力几乎呈指数级增长。此外,太阳能逆变器、放大器、运输和智能移动、过程控制和制造等领域也对GaN技术表现出浓厚的兴趣。我们收到的反馈显示,他们非常欣赏我们‘像MOSFET一样驱动’的方法的简单性。” 为满足这些需求,CGD推出了一系列基于其ICeGaN技术的产品。其中,一款350 W PF

  深度学习:从基础到实践 (安德鲁·格拉斯纳 (Andrew Glassner))

  功率器件驱动器行业独立研究报告

  Generative Adversarial Network (GAN)

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  图1所示的模拟优先级放大器最初是作为多输出电源的一部分进行设计,其中稳压操作基于最高优先级通道的电压。该放大器的另一个应用是带电子 ...

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