端，还是靠近MOS端？（注意，图中的L1是走线寄生电感，并不是这里放了个

  这位兄弟说大部分工程师和IC原厂都是这么做的，但是没有说为什么，我当时也不清楚。但是这样的一个问题确实是个好问题，现实中的确存在。 任何一个问题都是提升技术的机会，所以，我记了下来，然后花时间看了看。 在这之前，为了让所有兄弟都能跟上节奏，那必须先得搞清楚这个串联的电阻是干什么用的。 简单说，这个串联的电阻就是抑制振荡用的，具体怎么回事，我以前专门写过文章，不知道的可以去瞅瞅——“LC串联谐振的意义-MOS管栅极电阻” 真实情况如何 首先，这位兄弟说大部分都是放靠近MOS端。关于这一点，我先去求证了下，看真实的情况是否真是如此？ 一般这种驱动MOS的电路，开关电源电机驱动居多，因此，我就去找了这两类IC的厂商，去看看它们的demo板是怎么Layout的。 1、TIDRV8300的demo板 Demo板硬件设计可以直接在Ti官网下载，如下图，能够正常的看到，串联电阻是放置在MOS管端的。

  3、MPS的无刷电机驱动芯片MP6535。 如下图，6个MOS的栅极串联电阻R18，R19，R20，R21，R22，R23放置在中间。 从走线串联的电阻离MOS较近，离驱动IC较远。Q4，Q5，Q6串联的电阻在MOS和驱动IC中间。

  就上面3个例子来说，兄弟说的“大部分情况栅极串联电阻靠近MOS管放置”确实是属实的。 那我聊天记录里面说的“放源端比较好，就像高速信号的阻抗匹配放源端”，这一点又是考虑了什么呢？ 要不要考虑阻抗匹配 考虑到阻抗匹配，那就是将信号看作是高速信号，那么到底栅极驱动信号是不是高速信号呢？ 一般来说，高速信号的认定规则是这样的：信号的上升沿小于6倍的传输延时。那我们大致算一下就了解是否是高速信号了。 PCB上信号传输速度为6inch/ns，也就是0.1524m/ns 以DRV8300为例子，可以从手册中看到栅极驱动信号波形，如下图的GHA就是：

  上升沿大概是400ns，如果要将其看成是高速信号，那么需要满足公式： 400ns10.16m 显然，我们的栅极走线m，所以栅极走线不用看成是高速信号线，也就说不用考虑阻抗匹配的问题，用集总参数模型分析即可。 正常的情况下，我们的栅极走线cm。那么当走线cm时，如果要将其看成是高速信号，那么对应的Tr

  其实从上面两个模型看来， 对于MOS栅极来说，它们收到的信号没有一点的差别。 为什么这么说呢？因为电感和电阻始终是串联的，如果把它们看成一个整体，阻抗就是R+jwL，对于整个电路来说完全是相同的，等效为下面这个:

  所以，我不觉得串联电阻靠近MOS放置有什么特别的作用。 小结 以上就是，我目前对于MOS管栅极串联电阻放在哪儿的看法。 我觉得放在哪里无所谓，靠近MOS，靠近驱动IC都行，放中间也行，重要的总的走线长度要短（这一点在很多手册中都有提到，主要为降低走线寄生电感）。 当然了，非常有可能有其它我还没考虑到的因素，所以我觉得放哪儿都行是不对的。 欢迎兄弟们在我的交流群探讨这样的一个问题，集众人之力，将这样的一个问题搞清楚。

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  在一周前看到在公众号“电机控制设计加油站”的一篇推文，“Why 100Ω？ 较真的教授发现简单结论背后不简单的问题”，对MOSFET管

  R6，PWM经过R6后，波形失线是怎么样影响到后级波形，图中灰色的代表PWM输出，黄色代表经过R6后的

  并联多了容易引起走线很长，分布电感电容加大，对于高频电路工作产生不利的影响。下面以4颗为例说明

  的作用 /

  的作用 /

  管导通速度过慢，即Rds的减小要经过一段时间，高压时Rds会消耗大量功率，导致

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